镓铟氧化物深紫外透明半导体薄膜的制备及特性研究

采用MOCVD方法制备镓铟氧化物(Ga2(1－X) In2X O3)深紫外透明半导体薄膜材料。系统地研究制备薄膜的晶格结构、结构相变、电学和光致发光性质。研究薄膜的制备工艺条件、退火处理、衬底材料的晶格适配等对薄膜的结构和光电性能的影响；研究薄膜的组分变化对带隙宽度和发光波长的影响，研究薄膜中杂质和缺陷对发光性能的影响，研究材料的能带结构和发光机制。镓铟氧化物薄膜材料具有带隙宽度大且带隙宽度可以通过改变薄膜组分进行调制的特点，是一种很有前途的蓝光及紫外发光材料，同时也是制造透明电子器件和深紫外透明导电膜的重要材料。性能优良的镓铟氧化物薄膜材料在透明电子器件、蓝光及紫外发光器件、紫外探测器、叠层高效薄膜太阳能电池和平面显示等领域具有广阔的应用前景。对镓铟氧化物薄膜材料进行系统地研究，将为该材料在透明光电子器件上的应用奠定基础。因此，该项研究即具有重要的科学意义又具有良好的应用前景。