n型掺杂GaAs超快光电子特性的飞秒光谱研究

本项目采用可调谐飞秒激光光谱技术研究n型掺杂GaAs中不同激发能态电子和空穴的弛豫动力学过程，了解杂质电子对材料超快光电子特性的影响。研究工作取得了三个具创新性的成果：一n-GaAs中掺杂电子费米海的屏蔽效应和态填充效应减慢低能态电子的初始散射速率，对高能态的电子影响则不大。二采用选择激发看重空穴对探测信号的贡献并发展了新的理论模型，测出重空穴的热化时间为300飞秒，光学形变势为31eV。三提出了关于克尔透镜锁模固体激光器的“厚透镜”模型，比先前的“箔透镜”模型具更清晰物理意义，简化了计算，利于激光器的设计和操作。共14篇研究论文已在国内外重要刊物和学术会议发表。获得两项成果奖，一项实用新型专利，培养了4位博硕士研究生。