自旋纳电子材料的微磁结构和反磁化机制的研究

本项目着重研究自旋纳电子材料的磁性多层膜结构、磁性纳米点阵列结构、自旋阀和磁隧道结这类磁性纳米结构体系的微磁结构、磁化与反磁化机制和矫顽力性质。采用微磁学方法从静态和动力学状态两方面计算和模拟上述纳米结构体系的结构尺寸、形状和各种磁参数对微磁结构的影响，磁化和反磁化机制，反转场和矫顽力的大小以及微磁结构对自旋阀和磁隧道结巨磁电阻效应的影响。纳米磁性多层膜结构和磁性纳米点阵列结构是研制超高密度磁记录介质的主要方案，自旋阀结构、磁隧道结结构是制作各种纳米磁性传感器、自旋电子器件和未来磁性随机动态存储器（MRAM）的基础，而研制和开发这些高科技器件，首先必须搞清楚上述磁性纳米结构体系的物理性质，尤其是微磁结构、磁化和反磁化机制等磁学性质。由此可见，本项目具有非常重要的应用价值。此外，研究磁性纳米结构的结构尺寸效应、反磁化机制和微磁结构对电子自旋输运过程的影响本身也具有重要的科学意义。