纳米级MOSFET器件中的准弹道输运效应研究

微电子技术已经进入纳米时代，类似FINFET的双多栅结构将取代常规MOS器件，成为纳米级MOS器件的主要结构。纳米级MOS器件中的载流子输运研究在优化器件结构、器件建模等具有重要意义。对纳米级器件量子效应影响是三维的，器件几何结构在长、深、宽三个方向上对载流子输运特性都有重要影响。纳米级器件中的载流子强场下的输运行为具有准弹道特点，对器件特性影响重大。因此需要对载流子在强场和量子效应影响下的准弹道输运进行深入研究。本项目将利用自主建立的基于量子波尔兹曼方程（QBE）的三维蒙特卡罗器件模拟平台，着眼于研究纳米级MOSFET器件中载流子在准弹道输运条件和多维量子效应影响下的输运特性；研究复杂的器件几何结构对载流子输运行为的影响；建立计入量子效应后的载流子准弹道输运模型；分析在准弹道输运条件和多维量子效应影响下的纳米级MOSFET器件特性，为纳米级MOSFET结构优化设计和器件特性建模奠定基础。