AlGaN/GaN多量子阱中电子纵向量子输运机制研究

AlGaN/GaN多量子阱结构已应用到光电器件中，但其纵向的量子输运机制国内外研究甚少。我们采用多量子阱结构肖特基电极二极管在室温条件下首次观察到源于比邻量子阱间极化电荷共振隧穿的电流－电压振荡曲线,而共振隧穿是经典的量子输运效应.本项目通过研究AlGaN/GaN多量子阱材料的共振隧穿现象，揭示在氮化物半导体中电子在垂直方向量子输运机制，为指导和设计出基于多量子阱子带的新型器件（如GaN基量子阱红外探测器和THz器件）奠定基础和对提高光电器件的性能具有重大科学意义。优化多量子结构，探索极化诱导电场和高浓度电荷、位错密度、杂质散射、声子-电子耦合等因素对共振隧穿影响的机理，构建极化诱导电荷共振隧穿模型。把AlGaN/GaN多量子阱共振隧穿结构应用到GaN基电子器件（RTD）、光电器件(量子阱红外探测器)、自旋电子探测器是本项目最终目的。