首次提出用“低静态偏磁场法”产生单个的圆形或椭圆形的磁泡薄膜技术状畴(MBD)。MBD畴形的分形研究是分形几何方法在磁畴领域的首次应用。基于MBD畴形的特点,运用和发展了线结构维数Dline的计算方法,证实了在一定的范围内MBD畴形的确具有分形结构的特征,用Dline定量地描述了MBD的弯曲和分枝程度,并把Dline与MBD畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的形核联系了起来。进一步把分形几何方法应用于复杂磁畴畴形的分析,用计盒维数Dbox定量描述了NdFe10.5Mo1.5合金的复杂畴形,并用Dline和Dbox分段描述了Dy-NdFeB单晶畴形随其厚度t的变化,证实了其畴形从简单向复杂转变的临界厚度ts的存在。
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数据更新时间:2023-05-31
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