高温水热法合成Zn1-xCoxO稀磁半导体晶体

拟采用水热法在高温（400℃以上）合成Zn1-xCoxO稀磁半导体晶体。研究水热反应温度、压力（填充度）、矿化剂种类、浓度、前驱物成分等对晶体形态、生长速度、晶体缺陷、杂质含量和均匀性的影响，寻找最佳的制备工艺条件。通过改变前驱物中Co化合物含量和采用掺杂剂缓释技术获得不同Co浓度均匀掺杂的Zn1-xCoxO晶体。研究施主离子共掺杂（Sn、Al、Ga、In等）对材料磁性和半导体性能的影响。寻找制备高居里温度（超过300℃）稀磁半导体晶体的工艺条件。项目完成后，获得直径厘米级高质量单晶。另外还将对不同条件下获得晶体的半导体性能、磁电、磁光、发光性能进行研究，探索磁性产生的机理和进行应用性尝试。.本项目的创新之处在于采用水热法合成高质量Zn1-xCoxO稀磁半导体单晶。所合成的晶体具有缺陷少，掺杂均匀等特点，能够真实反映材料的磁光、磁电特性。