P型GaN欧姆接触新方法和新机理的探索
基本信息
批准号：60476022
项目类别：面上项目
资助金额：6.00
负责人：陈朝
学科分类：
依托单位：厦门大学
批准年份：2004
结题年份：2005
起止时间：2005-01-01 - 2005-12-31
项目状态： 已结题
项目参与者：周海文,庄宝煌,陈丽容,林爱清,谢生,卞剑涛,程翔,张爱清,黄生荣
关键词：
异质结欧姆接触隧穿效应PGaN激光诱导掺杂
结项摘要
为了探索P型GaN材料欧姆接触的新方法和新机理，采用以下两种新方法：（1）先在被脉冲YAG激光辐照的Zn(或Mg)/P-GaN样品表面上溅射Au/Zn/Ni三层金属薄膜，后在氮气保护下快速退火，在样品表面形成3E18cm-3至1E19cm-3的空穴浓度，探索在有效高浓度掺杂下因隧穿效应所形成欧姆接触的机理；（2）先在P-GaN表面上溅射Au/Ni或Au/Zn，后在氧气氛下快速退火，探索NiO或Zn
项目摘要
项目成果
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数据更新时间：2023-05-31
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