用晶界取向理论指导高质量铁硅半导体膜的离子

β型铁硅相是重要窄带隙半导体金属硅化物，但难以制备高质量薄膜。本研究应用０点阵晶界取向理论，计算出最佳点阵常数匹配和硅基体晶片取向，以此指导离子注入工艺制备高质量薄膜，并利用现代分析电镜进行膜层结构的表征，从结构设计入手解决膜与硅基体的错配问题，为将来建立制备工艺、结构和性能三者的关系打下基础。