II-VI族半导体纳米晶体的掺杂特性研究

应用胶体化学反应生长体系，选择合适的p（Mn、Cu、Er、Yb等）和n （Cl、I、、B、Al等）型掺杂物质，对CdS、ZnS、CdSe 等 II-VI族半导体纳米晶体在生长过程中实施p、n型的自组装掺杂，重点进行n型掺杂研究。从纳米晶体特有的尺寸、表面及能级等量子化效应出发，系统研究半导体纳米晶体的尺寸、晶相、形貌、能态等对掺杂类型和浓度的影响，揭示纳米晶体的掺杂机理，实现纳米晶体的高浓度掺杂；进而结合热动力学及晶体掺杂理论，构建纳米晶体的微观掺杂理论；在此基础上，深入研究掺杂后纳米晶体的电学输运特性和发光特性，提取掺杂纳米晶体的能谱、隧穿效应和库仑阻塞等相关的量子效应；最终获得高掺杂浓度、具有良好电输运特性和高发光效率的半导体纳米晶体，丰富纳米晶体的理论，促进纳米新材料、纳米电子新器件的发展和广泛应用，也必将促进我国在纳米晶体掺杂方面的理论创新、学术发展与实际应用。