宽带MEMS可调谐激光器的研究

基本信息
批准号:61006041
项目类别:青年科学基金项目
资助金额:22.00
负责人:程远兵
学科分类:
依托单位:北京邮电大学
批准年份:2010
结题年份:2013
起止时间:2011-01-01 - 2013-12-31
项目状态: 已结题
项目参与者:赵玲娟,李岩,陶继方,姚辰,赖伟江,徐惠真,王大鹏
关键词:
微机电系统(MEMS)低成本低功耗可调谐激光器取样光栅光纤
结项摘要

基于可调谐激光器在光通信发射端、光路由节点和光接入网等领域的广泛应用前景,提出了一种低功耗、小体积和低成本的MEMS可调谐激光器。着重研究影响调谐范围、调谐速度和边模抑制比的因素;探索器件的关键制备技术和集成方式;研究使激光器输出波长符合ITU-T波长规定的方法;并探索MEMS可调谐激光器在光通信领域,特别是波分复用/时分复用混合无源光网络(WDM/TDM-PON)等未来接入技术上的应用,力争为我国具有自主知识产权光通信的发展做出贡献。

项目摘要

基于微机电系统(MEMS)的波长可调谐激光器采用MEMS来驱动波长选择单元,不仅保持了传统机械调谐外腔激光器光谱线宽窄、调谐范围大的优点,还具备高调谐精度、高稳定性、快速调谐和低功耗的优点。MEMS可调谐激光器可以通过标准的半导体加工和耦合封装工艺来实现,具备低廉的成本优势,能极大地促进光网络技术的发展。针对目前MEMS可调谐激光器的性能较差及制作工艺复杂等问题,我们提出了一种基于抛物面镜的新型MEMS可调谐激光器。在可调谐激光器的外腔内,采用光纤柱形透镜和深硅刻蚀的抛物面镜两个二维的光约束器件,组合实现光束三维方向耦合,提高了外腔耦合效率。并开发出了一套完整的器件的加工工艺,成功制作出了MEMS可调谐激光器芯片。随后,通过与新加坡微电子所的合作,对MEMS可调谐激光器进行了封装。封装后的MEMS可调谐激光器器件尺寸为3 mm × 3.2 mm;注入电流为30mA时,其输出功率约为2.5mW;其最高边模抑制比大于35dB;在保持边摸抑制比大于20 dB的情况下,实现了48.3 nm(1542.2~1578.5 nm)的波长调节范围。

项目成果
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数据更新时间:2023-05-31

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